Diplomarbeit aus dem Jahr 1999 im Fachbereich Ingenieurwissenschaften - Maschinenbau, Note: 3, Universitat Hamburg, Sprache: Deutsch, Abstract: In der heutigen Zeit werden in immer mehr Geraten Halbleiterbauelemente eingesetzt. Unter der Zielsetzung, moglichst viele Strukturen auf einer Flache unterzubringen, haben sich Atztechniken zu einem der wichtigsten Werkzeuge bei der Herstellung von Halbleiter-Mikrostrukturen entwickelt. Jede Weiterentwicklung der Atztechnik erlaubt die genauere Kontrolle der Atzrate, der Selektivitat, der Flankensteilheit, der immer besseren Reproduzierbarkeit des Atzvorganges und dergleichen mehr. Jede Atztechnik schadigt aber auch den zu atzenden Halbleiterkristall. So ist die Auswahl einer Atztechnik ein Abwagen der Vorteile und Nachteile. Dabei zeigt sich, dass trotz der mehr als funfzigjahrigen Forschung uber Halbleiter bzw. Halbleiterbauelemente auch heute noch neue Erkentnisse in diesem Bereich gewonnen werden. Ebenso mussen die vorhandenen physikalischen Modelle fur die neuen Anforderungen und Techniken angepasst oder erweitert werden. Mit der zunehmenden Nutzung der in den siebziger Jahren entwickelten epitaktischen Herstellungsverfahren fur Halbleiter, wieder Molekularstrahlepitaxie (MBE) und der Metall-Organischen Gasphasenepitaxie (MOCVD), ist es heute moglich, Halbleiter-Heterostrukturen aus dem Gallium-Arsenid / Aluminium-Gallium-Arsenid-Materialsystem herzustellen. Solche Strukturen finden heute ihren Nutzen in der Herstellung von schnellen Bauteilen, wie sie in der Nachrichten- und Optoelektronik verwendet werden. Diese Diplomarbeit im Rahmen eines BMBF-Projektes am Mikrostrukturzentrum der Universitat Hamburg untersucht die durch einen CAIBE-Prozess verursachte Schadigung eines GaAs-Halbleiters. Ziel ist es die Art und Tiefe der Schaden in Abhangigkeit von verschiedenen Parametern des CAIBE-Prozesses zu untersuch