Le traitement Si/N, lors de l'elaboration du GaN a haute temperature et a pression atmospherique par Epitaxie en Phase Vapeur par pyrolyse d'OrganoMetalliques (EPVOM), ameliore nettement la qualite morphologique, electrique, structurale et optique. Le mode de croissance observe est un passage de 3D a 2D au cours de l'epaississement de la couche de GaN. Par la suite un dopage de type p et n dans GaN est realise en utilisant respectivement le magnesium et le silicium, conduisant ainsi a une homojonction p/n pour fabriquer une diode electroluminescente bleue. Pour augmenter son rendement optique, une intercalation de puits quantiques InGaN est effectuee."