FET Modeling for Circuit Simulation: The Springer International Series in Engineering and Computer Science, cartea 48
Autor Dileep A. Divekaren Limba Engleză Hardback – 31 mar 1988
Toate formatele și edițiile | Preț | Express |
---|---|---|
Paperback (1) | 635.80 lei 6-8 săpt. | |
Springer Us – 28 mai 2013 | 635.80 lei 6-8 săpt. | |
Hardback (1) | 642.18 lei 6-8 săpt. | |
Springer Us – 31 mar 1988 | 642.18 lei 6-8 săpt. |
Din seria The Springer International Series in Engineering and Computer Science
- 24% Preț: 1041.97 lei
- 20% Preț: 643.50 lei
- 18% Preț: 1225.62 lei
- 18% Preț: 965.02 lei
- 20% Preț: 646.12 lei
- 18% Preț: 948.79 lei
- 20% Preț: 646.62 lei
- 15% Preț: 637.46 lei
- 20% Preț: 643.83 lei
- 18% Preț: 949.23 lei
- 20% Preț: 644.48 lei
- 20% Preț: 994.92 lei
- 20% Preț: 645.97 lei
- 18% Preț: 946.87 lei
- 20% Preț: 995.57 lei
- 18% Preț: 956.99 lei
- 20% Preț: 644.98 lei
- 15% Preț: 649.54 lei
- 18% Preț: 950.21 lei
- 18% Preț: 1221.38 lei
- 18% Preț: 957.62 lei
- 15% Preț: 643.99 lei
- 18% Preț: 948.47 lei
- 18% Preț: 947.35 lei
- 20% Preț: 1284.65 lei
- 20% Preț: 1633.95 lei
- 20% Preț: 1285.78 lei
Preț: 642.18 lei
Preț vechi: 755.51 lei
-15% Nou
Puncte Express: 963
Preț estimativ în valută:
122.89€ • 127.53$ • 102.72£
122.89€ • 127.53$ • 102.72£
Carte tipărită la comandă
Livrare economică 17-31 martie
Preluare comenzi: 021 569.72.76
Specificații
ISBN-13: 9780898382648
ISBN-10: 0898382645
Pagini: 184
Ilustrații: XVIII, 184 p.
Dimensiuni: 156 x 234 x 13 mm
Greutate: 0.47 kg
Ediția:1988
Editura: Springer Us
Colecția Springer
Seria The Springer International Series in Engineering and Computer Science
Locul publicării:New York, NY, United States
ISBN-10: 0898382645
Pagini: 184
Ilustrații: XVIII, 184 p.
Dimensiuni: 156 x 234 x 13 mm
Greutate: 0.47 kg
Ediția:1988
Editura: Springer Us
Colecția Springer
Seria The Springer International Series in Engineering and Computer Science
Locul publicării:New York, NY, United States
Public țintă
ResearchCuprins
1 — Circuit Simulation.- 1.1 Introduction.- 1.2 Circuit Simulation Programs.- 1.3 Circuit Analysis.- 2 — Device Modeling.- 2.1 Model Development.- 2.2 Model Specification.- 2.3 Model Computation.- 2.4 Model Parameter Extraction.- 3 — Diode Models.- 3.1 Introduction.- 3.2 DC Characteristics.- 3.3 Junction voltage limiting.- 3.4 Charge storage.- 3.5 Temperature dependence.- 3.6 Model parameter extraction.- 4 — Jfet Models.- 4.1 Introduction.- 4.2 DC Characteristics.- 4.3 Device symmetry.- 4.4 Voltage limiting.- 4.5 Charge storage.- 4.6 Temperature dependence.- 4.7 Model parameter extraction.- 5 — Mosfet Models.- 5.1 Introduction.- 5.2 Basic dc characteristics.- 5.3 Device dimensions.- 5.4 MOSFET parasitics.- 5.5 Common model parameters.- 5.6 Basic device model (level 1).- 5.7 Second order effects.- 5.8 Bulk doping term.- 5.9 Threshold voltage shift.- 5.10 Mobility reduction.- 5.11 Velocity saturation.- 5.12 Channel length modulation.- 5.13 Subthreshold conduction.- 5.14 Avalanche current.- 5.15 Oxide charging.- 5.16 Device symmetry.- 5.17 Voltage limiting.- 5.18 Geometry dependence.- 5.19 Level 2 model.- 5.20 Level 3 model.- 5.21 CSIM model.- 5.22 BSIM model.- 5.23 Table lookup models.- 5.24 Depletion devices.- 5.25 Model parameter extraction.- 5.26 Charge storage.- 5.27 Meyer capacitance model.- 5.28 Smoothed Meyer model.- 5.29 Charge non conservation problem.- 5.30 Charge based models.- 5.31 Ward-Dutton charge model.- 5.32 Yang-Chatter je e charge model.- 5.33 BSIM charge model.- 5.34 Second order effects on charges.- 5.35 Temperature dependence.- 5.36 Modeling for Analog Applications.- 5.37 Power MOSFETs.- 6 — Mesfet Models.- 6.1 Introduction.- 6.2 Device symmetry.- 6.3 DC characteristics.- 6.4 Subthreshold conduction.- 6.5 Charge storage.- 6.6 Charge basedmodel.- 6.7 Temperature dependence.- 6.8 Modeling for analog applications.- 6.9 Model parameter extraction.- References.