Les travaux presentes dans ce manuscrit de these sont consacres au fonctionnement des technologies bipolaires, et plus particulierement des technologies BiCMOS SiGe, pour une utilisation a temperature cryogenique. Un etat de l'art sur les transistors bipolaires et les bruits electroniques que l'on rencontre sur ce genre de technologie sont donnes avec une approche orientee vers les basses temperatures. Ces rappels permettent d'aborder les mesures, des parametres basse frequence et du bruit, realisees sur des transistors bipolaires silicium et sur deux technologies SiGe a 300 K, 77 K et 4.2 K. Il est ensuite presente deux realisations d'ASIC cryogenique en technologie standard BiCMOS SiGe. La premiere est un amplificateur bas bruit (1 nV/sqrtHz) et large bande (1 GHz) fonctionnant a 77 K. Il est destine a la caracterisation de bolometres supraconducteurs YBaCuO a electrons chauds. La seconde realisation est un circuit de lecture et de multiplexage de matrice de SQUID. Il est, en particulier, presente le developpement, la realisation et le test d'un amplificateur ultra bas bruit (0.2 nV/sqrtHz) a entrees multiplexees fonctionnant a 4.2 K."