Mikroelektronische Speicher: Speicherzellen, Schaltkreise, Systeme
Autor Dietrich Rhein, Heinz Freitagde Limba Germană Paperback – 30 mar 1992
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Specificații
ISBN-13: 9783211823545
ISBN-10: 3211823549
Pagini: 288
Ilustrații: XII, 274 S.
Dimensiuni: 170 x 244 x 15 mm
Greutate: 0.46 kg
Editura: SPRINGER VIENNA
Colecția Springer
Locul publicării:Vienna, Austria
ISBN-10: 3211823549
Pagini: 288
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ResearchCuprins
1 Einleitung.- 2 Übersicht über die mikroelektronischen Speicherschaltkreise.- 2.1 Definitionen und Typen.- 2.2 Speicherschaltkreise.- 2.3 Trends bei Speicherschaltkreisen.- 2.4 Anwendungen mikroelektronischer Speicher.- 3 Schaltungstechnische Grundlagen.- 3.1 MOS-Schaltungstechnik.- 3.2 Bipolare Schaltungstechnik.- 3.3 BICMOS-Schaltungstechnik.- 4 Schreib-Lese-Speicherschaltkreise (RAM).- 4.1 MOS-SRAM.- 4.2 Bipolare SRAM.- 4.3 Entwicklungsrichtungen bei SRAM-Schaltkreisen.- 4.4 MOS-DRAM.- 4.5 Probleme des Entwurfs von Megabit-DRAMs.- 5 Festwertspeicher-Schaltkreise (ROM).- 5.1 Allgemeines und Übersicht.- 5.2 Maskenprogrammierte ROM.- 5.3 Einmalig elektrisch programmierbare ROM (PROM).- 5.4 Elektrisch programmierbare und durch UV-Licht löschbare ROM (EPROM).- 5.5 Elektrisch programmierbare und löschbare ROM (EEPROM).- 5.6 Nichtflüchtige RAM.- 6 Technische Realisierung von Speichern.- 6.1 Allgemeine Überlegungen.- 6.2 Stromversorgung des Speichers.- 6.3 Ansteuerung der Speichermatrix.- 6.4 Geometrischer Aufbau einer Speicherleiterkarte.- 7 Entwurf von Speicherbaugruppen und Speichern.- 7.1 ROM-Speicher.- 7.2 SRAM-Speicher.- 7.3 DRAM-Speicher.- 7.4 Maßnahmen zur Datensicherung im Speicher.- 8 Ausblick: Integration von Speichern und Logik.- 8.1 Übersicht.- 8.2 Inhaltsadressierte Speicher.- 8.3 Speicherung in Parallelprozessorsystemen.- Anhang: Verlustleistungsberechnung für den DRAM-Basisspeichermodul nach Abschnitt 6.3.2.1.- Sachwortverzeichnis.