En se basant sur le modele des bandes d'energie nous avons propose un modele elabore du courant de fuite drain induit par la grille qui tient compte des distributions spatiales reelles du champ electrique transversal et du profile du dopage dans la region de recouvrement grille drain. L'effet tunnel bande a bande dans le transistor est attribue non seulement a l'existence d'un champ electrique transversal mais aussi au champ electrique lateral. Par consequent, le courant de fuite du a l'effet tunnel bande a bande n'est plus constant pour la meme valeur de la tension drain-grille ayant des tensions drain et grille differentes et il depend fortement des tensions de polarisation du drain et de la grille separement. En modelisant la densite des defauts localises dans l'oxyde par une distribution Gaussienne les resultats de simulation revelent que le courant de fuite depend des deux types des defauts (accepteurs et donneurs). Une methode numerique a ete proposee pour le calcul du taux tunnel bande a bande assiste par les etats d'interface afin de clarifier l'impact des etats d'interface sur le courant de fuite."