Semiconductor Material and Device Characterization 3e: IEEE Press
Autor DK Schroderen Limba Engleză Hardback – 16 feb 2006
Din seria IEEE Press
- 5% Preț: 599.39 lei
- 50% Preț: 402.61 lei
- 24% Preț: 612.64 lei
- 24% Preț: 707.87 lei
- 24% Preț: 702.62 lei
- 14% Preț: 730.94 lei
- 24% Preț: 546.23 lei
- 24% Preț: 706.11 lei
- 24% Preț: 667.14 lei
- Preț: 517.44 lei
- Preț: 496.42 lei
- 24% Preț: 618.96 lei
- 24% Preț: 617.44 lei
- 24% Preț: 600.44 lei
- 24% Preț: 741.52 lei
- 20% Preț: 446.57 lei
- 24% Preț: 572.09 lei
- 24% Preț: 1226.90 lei
- 24% Preț: 704.87 lei
- Preț: 1280.69 lei
- 24% Preț: 672.03 lei
- 24% Preț: 695.85 lei
- 14% Preț: 844.32 lei
- Preț: 415.98 lei
- 9% Preț: 993.16 lei
- 9% Preț: 1474.56 lei
- 9% Preț: 792.49 lei
- 9% Preț: 1098.59 lei
- 20% Preț: 711.02 lei
- 9% Preț: 908.25 lei
- 9% Preț: 977.26 lei
- 9% Preț: 947.28 lei
- 9% Preț: 1936.66 lei
- 9% Preț: 1051.42 lei
- 9% Preț: 730.37 lei
- 9% Preț: 1003.99 lei
- 9% Preț: 1460.71 lei
- 9% Preț: 1003.04 lei
- 9% Preț: 914.63 lei
- 9% Preț: 980.85 lei
- 9% Preț: 954.18 lei
- 9% Preț: 767.99 lei
- 9% Preț: 993.77 lei
- 9% Preț: 1012.96 lei
- 9% Preț: 802.13 lei
- 9% Preț: 1111.25 lei
- 9% Preț: 1534.38 lei
- 9% Preț: 1267.53 lei
- 9% Preț: 1019.26 lei
- 9% Preț: 1111.55 lei
Preț: 1226.46 lei
Preț vechi: 1680.08 lei
-27% Nou
Puncte Express: 1840
Preț estimativ în valută:
234.79€ • 241.47$ • 194.78£
234.79€ • 241.47$ • 194.78£
Carte tipărită la comandă
Livrare economică 17 februarie-03 martie
Preluare comenzi: 021 569.72.76
Specificații
ISBN-13: 9780471739067
ISBN-10: 0471739065
Pagini: 800
Dimensiuni: 156 x 234 x 44 mm
Greutate: 1.21 kg
Ediția:3rd Edition
Editura: Wiley
Seria IEEE Press
Locul publicării:Hoboken, United States
ISBN-10: 0471739065
Pagini: 800
Dimensiuni: 156 x 234 x 44 mm
Greutate: 1.21 kg
Ediția:3rd Edition
Editura: Wiley
Seria IEEE Press
Locul publicării:Hoboken, United States
Public țintă
Professionals and graduate students in the field of silicon semiconductor devices and materials.Cuprins
Preface to Third Edition.
1. Resistivity.
2. Carrier and Doping Density.
3. Contact Resistance and Schottky Barriers.
4. Series Resistance, Channel Length and Width, and Threshold Voltage.
5. Defects.
6. Oxide and Interface Trapped Charges, Oxide Thickness.
7. Carrier Lifetimes.
8. Mobility.
9. Charge-Based and Probe Characterization.
10. Optical Characterization.
11. Chemical and Physical Characterization.
12. Reliability and Failure Analysis.
Appendix 1: List of Symbols.
Appendix 2: Abbreviations and Acronyms.
Index.