El silicio polimorfo nanoestructurado es el material que ha llamado la atención de los investigadores por sus buenas características ópticas y electrónicas. En esta investigación nos centramos en la síntesis del silicio polimorfo nanoestructurado utilizando la técnica de depósito químico en fase vapor asistido por plasma, usando como gas precursor del silicio, diclorosilano. Este gas nos proporcionó la presencia del ión cloruro, siendo esto una ventaja durante el proceso de crecimiento y en la estructura final de la película donde se pudo corroborar la formación de enlaces más estables en la superficie de los nanocristales, con los que se espera se mejore la estabilidad de las películas con la exposición al luz solar. Utilizando técnicas de caracterización como microscopia electrónica de transmisión de alta resolución y espectroscopia Raman, se determinó el carácter nanoestructurado de las películas donde la matriz siempre fue una matriz de silicio amorfo. Finalmente, combinando las técnicas de espectroscopia UV-vis y elipsometría espectroscopica se determinaron las propiedades opto-electrónicas de las películas mostrando excelentes propiedades para aplicaciones fotovoltaicas.