The Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface 2
Editat de B.E. Deal, C.R. Helmsen Limba Engleză Hardback – 30 sep 1993
Toate formatele și edițiile | Preț | Express |
---|---|---|
Paperback (1) | 1227.36 lei 6-8 săpt. | |
Springer Us – 19 noi 2013 | 1227.36 lei 6-8 săpt. | |
Hardback (1) | 1241.10 lei 6-8 săpt. | |
Springer Us – 30 sep 1993 | 1241.10 lei 6-8 săpt. |
Preț: 1241.10 lei
Preț vechi: 1513.53 lei
-18% Nou
Puncte Express: 1862
Preț estimativ în valută:
237.52€ • 246.09$ • 198.22£
237.52€ • 246.09$ • 198.22£
Carte tipărită la comandă
Livrare economică 21 martie-04 aprilie
Preluare comenzi: 021 569.72.76
Specificații
ISBN-13: 9780306444197
ISBN-10: 0306444194
Pagini: 503
Ilustrații: XVI, 503 p.
Dimensiuni: 178 x 254 x 29 mm
Greutate: 1.12 kg
Ediția:1993
Editura: Springer Us
Colecția Springer
Locul publicării:New York, NY, United States
ISBN-10: 0306444194
Pagini: 503
Ilustrații: XVI, 503 p.
Dimensiuni: 178 x 254 x 29 mm
Greutate: 1.12 kg
Ediția:1993
Editura: Springer Us
Colecția Springer
Locul publicării:New York, NY, United States
Public țintă
ResearchCuprins
Thermal Oxidation Mechanisms and Modeling: Silicon Oxides and Oxidation; A.M. Stoneham. Novel Oxidation Methods and Characterization: New Approach to Chemically Enhanced Oxidation; R.J. Jaccodine. Deposition and Properties of SiO2: Low Temperature Synthesis and Characterization of Silicon Dioxide Films; G.S. Chakravarthy, et al. Chemical Properties of Si Surfaces Related to Oxidation and Oxide Deposition: Pre-Gate Oxide Si Surface Control; M. Morita, T. Ohmi. Chemical, Structural, and Microroughness Effects at the SiSiO2 Interface: Dependence of Surface Microroughness on Types of Silicon Substrates; T. Ohmi, et al. Novel Structures, Processes, and Phenomena: Properties of Simox and Related Systems; S. Cristoloveanu, T. Ouisse. Defects and Hot-Carrier Induced Damage in SiSiO2 Systems: Radiation and Hydrogen Induced Effects in Silicon-Silicon Dioxide Systems. 56 additional articles. Index.