L'objectif de ce travail est la conception et la realisation de transistors a effet de champ (TEC) sur substrat InP pour l'amplification de puissance en bande W. Le but est d'etudier les potentialites en puissance de differents TEC dans la filiere InP a 94 GHz. La montee en frequence requiert la diminution des dimensions du composant, ce qui est assurement defavorable a une bonne tenue en tension. Notre defi etait de tenter d'elaborer des transistors capables de fonctionner a cette frequence et possedant une tension de claquage elevee. Une structure a canal InAsP delivrant une frequence de coupure de 140 GHz, une frequence maximum d'oscillation de 430 GHz et un gain maximum disponible a 94 GHz de 13 dB avec une grille de 70 nm nous a permis d'atteindre l'etat de l'art mondial en puissance a 94 GHz des HEMTs sur substrat InP."