Cryogenic Operation of Silicon Power Devices: Power Electronics and Power Systems
Autor Ranbir Singh, B. Jayant Baligaen Limba Engleză Hardback – 31 mai 1998
Toate formatele și edițiile | Preț | Express |
---|---|---|
Paperback (1) | 621.50 lei 6-8 săpt. | |
Springer Us – 11 oct 2012 | 621.50 lei 6-8 săpt. | |
Hardback (1) | 627.43 lei 6-8 săpt. | |
Springer Us – 31 mai 1998 | 627.43 lei 6-8 săpt. |
Din seria Power Electronics and Power Systems
- 18% Preț: 925.06 lei
- Preț: 477.55 lei
- 20% Preț: 629.99 lei
- 15% Preț: 635.45 lei
- 15% Preț: 630.83 lei
- 18% Preț: 1091.31 lei
- 18% Preț: 1098.26 lei
- 18% Preț: 931.09 lei
- 18% Preț: 2053.26 lei
- 15% Preț: 625.52 lei
- 18% Preț: 1627.23 lei
- 18% Preț: 921.82 lei
- 15% Preț: 624.57 lei
- 18% Preț: 930.30 lei
- 18% Preț: 934.33 lei
- 18% Preț: 934.64 lei
- 18% Preț: 925.53 lei
- 15% Preț: 621.50 lei
- 18% Preț: 815.91 lei
- 18% Preț: 926.14 lei
- 18% Preț: 1214.70 lei
- 15% Preț: 629.19 lei
- 18% Preț: 1622.46 lei
- 18% Preț: 934.33 lei
- 18% Preț: 1522.55 lei
- 18% Preț: 1623.37 lei
- 18% Preț: 932.19 lei
- 18% Preț: 870.31 lei
- 18% Preț: 1194.28 lei
- 18% Preț: 875.43 lei
- 18% Preț: 923.83 lei
- 18% Preț: 1087.73 lei
- 15% Preț: 628.89 lei
Preț: 627.43 lei
Preț vechi: 738.15 lei
-15% Nou
Puncte Express: 941
Preț estimativ în valută:
120.08€ • 124.73$ • 99.74£
120.08€ • 124.73$ • 99.74£
Carte tipărită la comandă
Livrare economică 01-15 februarie 25
Preluare comenzi: 021 569.72.76
Specificații
ISBN-13: 9780792381570
ISBN-10: 0792381572
Pagini: 148
Ilustrații: XVIII, 148 p.
Dimensiuni: 155 x 235 x 11 mm
Greutate: 0.42 kg
Ediția:1998
Editura: Springer Us
Colecția Springer
Seria Power Electronics and Power Systems
Locul publicării:New York, NY, United States
ISBN-10: 0792381572
Pagini: 148
Ilustrații: XVIII, 148 p.
Dimensiuni: 155 x 235 x 11 mm
Greutate: 0.42 kg
Ediția:1998
Editura: Springer Us
Colecția Springer
Seria Power Electronics and Power Systems
Locul publicării:New York, NY, United States
Public țintă
ResearchCuprins
1. Introduction.- 1.1 Advent of Power Cryoelectronics.- 1.2 Cryogenic Power Applications.- 1.3 Advantages of using semiconductor devices at low temperatures.- 1.4 Inferences and Objectives.- 2. Temperature Dependence of Silicon Properties.- 2.1 Semiconductor statistics and carrier Freezeout.- 2.2 Energy bandgap of Silicon.- 2.3 Intrinsic Carrier Concentration.- 2.4 Carrier Mobility.- 2.5 Carrier Lifetime.- 2.6 Breakdown Phenomenon.- 3. Schottky Barrier Diodes.- 3.1 Device Operation.- 3.2 Experimental Results.- 3.3 Optimization of Schottky Barrier Diodes for low temperature operation.- 3.4 Conclusions.- 4. P-I-N Diode.- 4.1 Basic Structure.- 4.2 Experimental Results.- 4.3 Analytical Modeling.- 4.4 Conclusions.- 5. Power Bipolar Transistors.- 5.1 Basic Operation.- 5.2 Experimental Results.- 5.3 Emitter Current Crowding.- 5.4 Transistor Optimization.- 5.5 Conclusions.- 6. Power Mosfets.- 6.1 Device Operation.- 6.2 Carrier freezeout in silicon.- 6.3 Experimental Results.- 6.4 Discussion.- 6.5 Conclusion.- 7. Insulated Gate Bipolar Transistors.- 7.1 Device operation.- 7.2 Experimental results.- 7.3 Conclusion.- 8. Power Junction Field Effect Transistors.- 8.1 Basic Operation.- 8.2 Forward Blocking.- 8.3 Forward Conduction.- 8.4 Conclusions.- 9. Asymmetric Field Controlled Thyristors.- 9.1 Basic Operation.- 9.2 Static Characteristics.- 9.3 Switching Characteristics.- 9.4 Trade-Off curve and Conclusions.- 10. Thyristors.- 10.1 Basic Operation.- 10.2 Static Characteristics.- 10.3 Switching Characteristics.- 10.4 Conclusions.- 11. Synopsis.- 11.1 Design considerations for power devices at 77K.- 11.2 Performance of power devices at 77K.- 11.3 Power devices for cryogenic applications.- References.