Grundlagen der photovoltaischen Energiewandlung: Solarstrahlung, Halbleitereigenschaften und Solarzellenkonzepte: Teubner Studienbücher Physik
Cu Hans-Günther Wagemann Autor Heinz Eschrichde Limba Germană Paperback – oct 1994
Din seria Teubner Studienbücher Physik
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Specificații
ISBN-13: 9783519032182
ISBN-10: 351903218X
Pagini: 160
Ilustrații: X, 143 S. 125 Abb.
Greutate: 0.21 kg
Ediția:1994
Editura: Vieweg+Teubner Verlag
Colecția Vieweg+Teubner Verlag
Seria Teubner Studienbücher Physik
Locul publicării:Wiesbaden, Germany
ISBN-10: 351903218X
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Public țintă
Upper undergraduateCuprins
1. Geschichtliche Entwicklung der Photovoltaik in Stichworten.- 2. Die Solarstrahlung als Energiequelle der Photovoltaik.- 2.1. Strahlungsquelle Sonne und Strahlungsempfänger Erde.- 2.2. Die Sonne als Schwarzer Strahler.- 2.3. Leistung und spektrale Verteilung der terrestrischen Solarstrahlung.- 3. Halbleitermaterial für die photovoltaische Energiewandlung.- 3.1. Absorption elektromagnetischer Strahlung durch Festkörper.- 3.2. Photovoltaischer Grenzwirkungsgrad.- 3.3. Beschreibung der Ladungsträgergeneration durch Absorption von Strahlung.- 3.4. Grundlagen der Halbleitertechnik für Solarzellen.- 3.5. Überschußladungsträgerprofil in homogenem Halbleitermaterial.- 3.6. Strategien zur Trennung der generierten Überschußladungsträger.- 3.7. Reflexionsverluste.- 4. Grundlagen für Solarzellen aus kristallinem Halbleitermaterial.- 4.1. Die Halbleiter-Diode als Solarzelle.- 4.2. Grundmodell einer kristallinen Solarzelle.- 4.3. Bestrahlung mit einem Standardspektrum.- 4.4. Technische Solarzellen-Parameter.- 4.5. Das Ersatzschaltbild einer kristallinen Solarzelle.- 5. Monokristalline Silizium-Solarzellen.- 5.1. Diskussion der spektralen Empfindlichkeit.- 5.2. Temperaturverhalten der Generatoreigenschaften.- 5.3. Parameter einer optimierten c-Si-Solarzelle.- 5.4. Kristallzüchtung.- 5.5. Präparation.- 5.6. Hochleistungs-Solarzellen.- 6. Polykristalline Silizium-Solarzellen.- 6.1. Vergleich der Herstellungsverfahren.- 6.2. Kokillenguß-Verfahren für polykristalline Silizium-Blöcke.- 6.3. Modell der Korngrenze im polykristallinem Silizium.- 6.4. Bewertung von spektraler Empfindlichkeit und Photostromdichte.- 6.5. Präparation.- 7. Galliumarsenid-Solarzellen.- 7.1. Vergleich der Solarzellenmaterialien Silizium und Galliumarsenid.- 7.2. Konzept der GaAs-Solarzelle mitAlGaAs-Fensterschicht.- 7.3. Modellrechnung zur AIGaAs/GaAs-Solarzelle.- 7.4. Kristallzüchtung.- 7.5. Flüssigphasen-Epitaxie für GaAs-Solarzellen.- 7.6. Präparation.- 8. Dünnschicht-Solarzellen aus amorphem Silizium.- 8.1. Eigenschaften des amorphen Siliziums.- 8.2. Dotieren des amorphen Siliziums.- 8.3. Physikalisches Modell der a-Si:H-Solarzelle.- 8.4. Präparation.- 8.5. Verringerung der Degradationseffekte.- 8.6. Herstellung von a-Si:H-Solarzellen.- 9. Alternative Solarzellen-Konzepte.- 9.1. MIS-Solarzelle aus kristallinem Silizium.- 9.2. Solarzellen aus Kupferindiumdiselenid (CulnSe2).- 9.3. a-Si:H/c-Si-Solarzellen.- 9.4. Kugelelement-Solarzelle.- 9.5. Elektrochemische Solarzellen.- 10. Ausblick.- A. Anhang.- A.1. Lösung des Integrals zur Berechnung des Grenzwirkungsgrades.- A.2. Lösung der Diffusionsgleichung.- A.3. Das Standardspektrum AM1.5global.- Literatur.- Stichwortverzeichnis.