High Temperature Electronics: Electronic Materials Series, cartea 2
Editat de Magnus Willander, H.L. Hartnagelen Limba Engleză Hardback – 31 dec 1996
Toate formatele și edițiile | Preț | Express |
---|---|---|
Paperback (1) | 1309.00 lei 6-8 săpt. | |
Springer Us – 17 sep 2011 | 1309.00 lei 6-8 săpt. | |
Hardback (1) | 1160.16 lei 6-8 săpt. | |
Springer Us – 31 dec 1996 | 1160.16 lei 6-8 săpt. |
Preț: 1160.16 lei
Preț vechi: 1414.82 lei
-18% Nou
Puncte Express: 1740
Preț estimativ în valută:
222.09€ • 241.94$ • 186.31£
222.09€ • 241.94$ • 186.31£
Carte tipărită la comandă
Livrare economică 19 decembrie 24 - 02 ianuarie 25
Preluare comenzi: 021 569.72.76
Specificații
ISBN-13: 9780412625107
ISBN-10: 0412625105
Pagini: 322
Ilustrații: XII, 322 p.
Dimensiuni: 155 x 235 x 21 mm
Greutate: 0.65 kg
Ediția:1996
Editura: Springer Us
Colecția Springer
Seria Electronic Materials Series
Locul publicării:New York, NY, United States
ISBN-10: 0412625105
Pagini: 322
Ilustrații: XII, 322 p.
Dimensiuni: 155 x 235 x 21 mm
Greutate: 0.65 kg
Ediția:1996
Editura: Springer Us
Colecția Springer
Seria Electronic Materials Series
Locul publicării:New York, NY, United States
Public țintă
ResearchCuprins
One Users.- 1 High temperature electronics in aircraft and space systems.- 2 High temperature automotive electronics.- 3 Oil-well applications: instrumentation of deep hot holes.- Two Silicon.- 4 High temperature operation of silicon MOS transistors.- 5 Silicon-on-insulator: CMOS devices and processes for high temperature applications.- Three Gallium Arsenide.- 6 High temperature electronics based on compound semiconductors.- 7 Contacts for GaAs devices.- 8 GaAs high temperature devices.- Four Future Materials.- 9 Silicon carbide: material and device properties.- 10 GaN-Based field effect transistors.