Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits: NATO Science Series E:, cartea 62
Editat de P. Antognetti, D.A. Antoniadis, Robert W. Dutton, W.G. Oldhamen Limba Engleză Paperback – 9 oct 2011
Din seria NATO Science Series E:
- 24% Preț: 1570.65 lei
- Preț: 397.76 lei
- Preț: 386.81 lei
- 20% Preț: 346.24 lei
- Preț: 424.33 lei
- 18% Preț: 1224.18 lei
- 18% Preț: 1836.63 lei
- 18% Preț: 1229.28 lei
- Preț: 381.00 lei
- Preț: 409.30 lei
- 18% Preț: 1841.36 lei
- 5% Preț: 367.28 lei
- Preț: 407.19 lei
- 18% Preț: 1838.38 lei
- Preț: 420.28 lei
- Preț: 399.29 lei
- Preț: 398.74 lei
- 18% Preț: 3026.13 lei
- Preț: 388.90 lei
- 5% Preț: 391.06 lei
- 18% Preț: 1228.62 lei
- 18% Preț: 1229.73 lei
- 18% Preț: 1234.46 lei
- 5% Preț: 3532.05 lei
- 18% Preț: 1840.11 lei
- 5% Preț: 378.80 lei
- 18% Preț: 1227.84 lei
- Preț: 392.75 lei
- Preț: 395.63 lei
- 18% Preț: 2489.30 lei
- 5% Preț: 1429.27 lei
- Preț: 396.02 lei
- 5% Preț: 2142.61 lei
- 18% Preț: 3049.16 lei
- 18% Preț: 1844.54 lei
- Preț: 403.53 lei
Preț: 407.78 lei
Nou
Puncte Express: 612
Preț estimativ în valută:
78.05€ • 81.17$ • 65.41£
78.05€ • 81.17$ • 65.41£
Carte tipărită la comandă
Livrare economică 13-27 martie
Preluare comenzi: 021 569.72.76
Specificații
ISBN-13: 9789400968448
ISBN-10: 9400968442
Pagini: 636
Ilustrații: 636 p.
Dimensiuni: 155 x 235 x 33 mm
Greutate: 0.88 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1983
Editura: SPRINGER NETHERLANDS
Colecția Springer
Seria NATO Science Series E:
Locul publicării:Dordrecht, Netherlands
ISBN-10: 9400968442
Pagini: 636
Ilustrații: 636 p.
Dimensiuni: 155 x 235 x 33 mm
Greutate: 0.88 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1983
Editura: SPRINGER NETHERLANDS
Colecția Springer
Seria NATO Science Series E:
Locul publicării:Dordrecht, Netherlands
Public țintă
ResearchCuprins
Diffusion in Silicon.- Thermal Oxidation: Kinetics, Charges, Physical Models, and Interaction with Other Processes in VLSI Devices.- The Use of Chlorinated Oxides and Intrinsic Gettering Techniques for VLSI Processing.- Ion Implantation.- Beam Annealing of Ion Implanted Silicon.- Materials Characterization.- Modeling of Polycrystalline Silicon Structures for Integrated Circuit Fabrication Processes.- Two-Dimensional Process Simulation — Supra.- Numerical Simulation of Impurity Redistribution Near Mask Edges.- Optical and Deep UV Lithography.- Wafer Topography Simulation.- Analyses of Nonplanar Devices.- Two Dimensional MOS-Transistor Modeling.- Fielday — Finite Element Device Analyses.
Recenzii
`...this book is an extremely valuable collection on the crucial issues in numerical modeling of VLSI fabrication processes and devices, which will be useful to a large number of readers with diverse backgrounds.' American Scientist, 73 (1983)