Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits: NATO Science Series E:, cartea 62
Editat de P. Antognetti, D.A. Antoniadis, Robert W. Dutton, W.G. Oldhamen Limba Engleză Paperback – 9 oct 2011
Din seria NATO Science Series E:
- Preț: 1500.36 lei
- Preț: 1500.14 lei
- Preț: 912.70 lei
- 24% Preț: 1570.65 lei
- 20% Preț: 333.22 lei
- Preț: 382.82 lei
- Preț: 372.29 lei
- Preț: 408.37 lei
- 18% Preț: 1177.76 lei
- 18% Preț: 1766.89 lei
- 18% Preț: 1182.65 lei
- Preț: 366.69 lei
- Preț: 393.92 lei
- 18% Preț: 1771.43 lei
- 5% Preț: 353.48 lei
- Preț: 391.87 lei
- 18% Preț: 1768.57 lei
- Preț: 404.48 lei
- Preț: 384.29 lei
- Preț: 383.75 lei
- 18% Preț: 2911.11 lei
- Preț: 374.29 lei
- 5% Preț: 376.36 lei
- 18% Preț: 1182.02 lei
- 18% Preț: 1183.09 lei
- 18% Preț: 1187.63 lei
- 5% Preț: 3397.80 lei
- 18% Preț: 1770.24 lei
- 5% Preț: 364.57 lei
- 18% Preț: 1181.27 lei
- Preț: 378.00 lei
- Preț: 380.77 lei
- 18% Preț: 2394.70 lei
- 5% Preț: 1375.06 lei
- Preț: 381.14 lei
- 5% Preț: 2061.24 lei
- 18% Preț: 2933.27 lei
Preț: 392.45 lei
Nou
Puncte Express: 589
Preț estimativ în valută:
75.11€ • 79.24$ • 62.59£
75.11€ • 79.24$ • 62.59£
Carte tipărită la comandă
Livrare economică 02-16 ianuarie 25
Preluare comenzi: 021 569.72.76
Specificații
ISBN-13: 9789400968448
ISBN-10: 9400968442
Pagini: 636
Ilustrații: 636 p.
Dimensiuni: 155 x 235 x 33 mm
Greutate: 0.88 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1983
Editura: SPRINGER NETHERLANDS
Colecția Springer
Seria NATO Science Series E:
Locul publicării:Dordrecht, Netherlands
ISBN-10: 9400968442
Pagini: 636
Ilustrații: 636 p.
Dimensiuni: 155 x 235 x 33 mm
Greutate: 0.88 kg
Ediția:Softcover reprint of the original 1st ed. 1983
Editura: SPRINGER NETHERLANDS
Colecția Springer
Seria NATO Science Series E:
Locul publicării:Dordrecht, Netherlands
Public țintă
ResearchCuprins
Diffusion in Silicon.- Thermal Oxidation: Kinetics, Charges, Physical Models, and Interaction with Other Processes in VLSI Devices.- The Use of Chlorinated Oxides and Intrinsic Gettering Techniques for VLSI Processing.- Ion Implantation.- Beam Annealing of Ion Implanted Silicon.- Materials Characterization.- Modeling of Polycrystalline Silicon Structures for Integrated Circuit Fabrication Processes.- Two-Dimensional Process Simulation — Supra.- Numerical Simulation of Impurity Redistribution Near Mask Edges.- Optical and Deep UV Lithography.- Wafer Topography Simulation.- Analyses of Nonplanar Devices.- Two Dimensional MOS-Transistor Modeling.- Fielday — Finite Element Device Analyses.
Recenzii
`...this book is an extremely valuable collection on the crucial issues in numerical modeling of VLSI fabrication processes and devices, which will be useful to a large number of readers with diverse backgrounds.' American Scientist, 73 (1983)