Cantitate/Preț
Produs

Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors

Autor John D. Cressler, Guofu Niu, Guofo Niu
en Limba Engleză Hardback – 30 noi 2002
A treatment of silicon-germanium heterojunction bipolar transistors (SiGe HBT), a technology that is expected to revolutionise communications. It covers motivation, history, materials, fabrication, device physics, operational principles, and circuit-level properties associated with SiGe.
Citește tot Restrânge

Preț: 82899 lei

Preț vechi: 96394 lei
-14% Nou

Puncte Express: 1243

Preț estimativ în valută:
15865 16480$ 13178£

Carte tipărită la comandă

Livrare economică 04-18 februarie 25

Preluare comenzi: 021 569.72.76

Specificații

ISBN-13: 9781580533614
ISBN-10: 1580533612
Pagini: 588
Dimensiuni: 160 x 237 x 41 mm
Greutate: 1.04 kg
Ediția:New.
Editura: Artech House Publishers