Dans ce livre est d finie la m thodologie d'extraction des d rives des param tres physiques importants qui caract risent la qualit de l'interface Si/SiO2 d'un transistor MOSFET; tels que: les variations de la tension de seuil ΔVth, de la tension de bandes plates ΔVfb, de la densit des tats d'interface moyenne Δ Dit eV-1cm-2] et de la section de capture g om trique Δσ;σ = σn.σ p cm2]. Les pi ges lents dans l'oxyde, NT(x) au-del de cette distance, qui communiquent par effet tunnel avec le silicium sont galement d termin s. L' tude exp rimentale des effets des d gradations par des rayonnements X de transistors N_MOSFET, fabriqu s en technologie CMOS 2μm a t men e l'aide d'un banc de mesures automatis bas es sur la technique de pompage de charge et ses variantes, d velopp au niveau du Laboratoire. La source des rayonnements X du diffractom tre rayons X du Laboratoire des Plasmas a t utilis e. Un talonnage de celle-ci a t effectu pour d terminer avec pr cision la dose et le d bit de l'irradiation pour chaque type du faisceau qui est d fini par un courant et une tension aux bornes de la source.