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Wirkung hochenergetischer Strahlung auf Halbleiterbauelemente: Mikroelektronik

Autor Dietrich Bräunig
de Limba Germană Paperback – 7 aug 1989
Mit dem rasch wachsenden Integrationsgrad mikroelektronischer Schaltungen steigt der mögliche Schaden durch hochenergetische Strahlung, insbesondere im Einsatzbereich von Luft- und Raumfahrttechnik, aber auch bei Kernreaktoren, in der Materialforschung und in der medizinischen Diagnostik und Therapie. Das Buch liefert eine fundierte Einführung, die von den physikalischen Grundlagen der Wechselwirkung von Strahlung mit Materie, über die Erklärung von Schädigungsmechanismen bis hin zur Beschreibung von Strahlungsempfindlichkeit reicht. Der starke Einfluß der verwendeten Technologie wird ebenso behandelt wie die Möglichkeit der Abschirmung und der Einfluß von Strukturverkleinerungen auf die Strahlensensibiltät.
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Specificații

ISBN-13: 9783540508915
ISBN-10: 3540508910
Pagini: 212
Ilustrații: X, 196 S. 118 Abb.
Dimensiuni: 170 x 244 x 11 mm
Greutate: 0.35 kg
Editura: Springer Berlin, Heidelberg
Colecția Springer
Seria Mikroelektronik

Locul publicării:Berlin, Heidelberg, Germany

Public țintă

Research

Cuprins

1 Einführung.- 2 Wechselwirkung (WW) zwischen Strahlung und Materie.- 2.1 Vorbemerkungen.- 2.2 Photonen.- 2.3 Elektronen.- 2.4 Protonen und schwere Ionen.- 2.5 Neutronen.- 3 Schädigungsmechanismen im Silizium und Siliziumdioxid.- 3.1 Vorbemerkungen.- 3.2 Permanente Defekte im Silizium.- 3.3 Transiente Defekte im Silizium.- 3.4 Siliziumdioxid: Defekte im Volumen und an der Phasengrenze.- 4 Bauelementbezogene Schädigung.- 4.1 Vorbemerkungen.- 4.2 Permanente Schädigung in bipolaren und MOS Transistoren.- 4.3 Auswirkungen auf integrierte Schaltungen in Beispielen.- 4.4 Lokalisierte Schädigungsereignisse.- 4.5 Degradation, Härtung und Miniaturisierung.- 5 Bestrahlungstests und Schädigungsvorhersage.- 5.1 Vorbemerkungen.- 5.2 Bestrahlungsquellen.- 5.3 Abschirmung.- 5.4 Bestimmung der Funktionssicherheit.- 6 Literatur.- 7. Sachverzeichnis.