Wirkung hochenergetischer Strahlung auf Halbleiterbauelemente: Mikroelektronik
Autor Dietrich Bräunigde Limba Germană Paperback – 7 aug 1989
Din seria Mikroelektronik
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Specificații
ISBN-13: 9783540508915
ISBN-10: 3540508910
Pagini: 212
Ilustrații: X, 196 S. 118 Abb.
Dimensiuni: 170 x 244 x 11 mm
Greutate: 0.35 kg
Editura: Springer Berlin, Heidelberg
Colecția Springer
Seria Mikroelektronik
Locul publicării:Berlin, Heidelberg, Germany
ISBN-10: 3540508910
Pagini: 212
Ilustrații: X, 196 S. 118 Abb.
Dimensiuni: 170 x 244 x 11 mm
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Public țintă
ResearchCuprins
1 Einführung.- 2 Wechselwirkung (WW) zwischen Strahlung und Materie.- 2.1 Vorbemerkungen.- 2.2 Photonen.- 2.3 Elektronen.- 2.4 Protonen und schwere Ionen.- 2.5 Neutronen.- 3 Schädigungsmechanismen im Silizium und Siliziumdioxid.- 3.1 Vorbemerkungen.- 3.2 Permanente Defekte im Silizium.- 3.3 Transiente Defekte im Silizium.- 3.4 Siliziumdioxid: Defekte im Volumen und an der Phasengrenze.- 4 Bauelementbezogene Schädigung.- 4.1 Vorbemerkungen.- 4.2 Permanente Schädigung in bipolaren und MOS Transistoren.- 4.3 Auswirkungen auf integrierte Schaltungen in Beispielen.- 4.4 Lokalisierte Schädigungsereignisse.- 4.5 Degradation, Härtung und Miniaturisierung.- 5 Bestrahlungstests und Schädigungsvorhersage.- 5.1 Vorbemerkungen.- 5.2 Bestrahlungsquellen.- 5.3 Abschirmung.- 5.4 Bestimmung der Funktionssicherheit.- 6 Literatur.- 7. Sachverzeichnis.