GaAs-Feldeffekttransistoren: Halbleiter-Elektronik, cartea 16
Autor Walter Kellner, Hermann Kniepkampde Limba Germană Paperback – 12 dec 1988
Din seria Halbleiter-Elektronik
- Preț: 393.78 lei
- Preț: 474.64 lei
- Preț: 415.45 lei
- Preț: 347.12 lei
- Preț: 487.33 lei
- Preț: 415.02 lei
- Preț: 417.70 lei
- 18% Preț: 713.52 lei
- 15% Preț: 488.79 lei
- Preț: 477.11 lei
- 15% Preț: 689.77 lei
- Preț: 351.09 lei
- Preț: 418.66 lei
- 15% Preț: 684.77 lei
- 18% Preț: 727.47 lei
- Preț: 415.45 lei
- 15% Preț: 519.42 lei
- Preț: 340.70 lei
- Preț: 346.36 lei
- Preț: 476.93 lei
- Preț: 475.82 lei
- Preț: 473.89 lei
Preț: 479.20 lei
Nou
Puncte Express: 719
Preț estimativ în valută:
91.71€ • 95.54$ • 76.25£
91.71€ • 95.54$ • 76.25£
Carte tipărită la comandă
Livrare economică 10-24 februarie 25
Preluare comenzi: 021 569.72.76
Specificații
ISBN-13: 9783540501930
ISBN-10: 3540501932
Pagini: 288
Ilustrații: 283 S.
Dimensiuni: 155 x 235 x 15 mm
Greutate: 0.41 kg
Ediția:2., überarb. und erw. Aufl.
Editura: Springer Berlin, Heidelberg
Colecția Springer
Seria Halbleiter-Elektronik
Locul publicării:Berlin, Heidelberg, Germany
ISBN-10: 3540501932
Pagini: 288
Ilustrații: 283 S.
Dimensiuni: 155 x 235 x 15 mm
Greutate: 0.41 kg
Ediția:2., überarb. und erw. Aufl.
Editura: Springer Berlin, Heidelberg
Colecția Springer
Seria Halbleiter-Elektronik
Locul publicării:Berlin, Heidelberg, Germany
Public țintă
ResearchCuprins
1 Einleitung.- 2 Grundlagen.- 2.1 Prinzip des FET.- 2.2 Ausführungsformen von FET.- 2.3 Der Metall-Halbleiter-Übergang.- 2.4 Der p+n-Übergang.- 2.5 Die MIS-Struktur.- 3 Theorie des Ladungstransports.- 3.1 Vorbemerkung.- 3.2 Kennlinien von JFET und MESFET.- 3.3 Kennlinien von MISFET.- 3.4 Einfluß der Zuleitungswiderstände.- 3.5 Numerische Lösungen der Poisson-Gleichung.- 4 GaAs-MESFET.- 4.1 Kleinsignalverhalten.- 4.2 Rauschen.- 4.3 Kleinsignal-FET: Stand 1988.- 4.4 Leistungs-FET.- 5 GaAs-Planartechnologie.- 5.1 Herstellung von semiisolierendem Gas.- 5.2 Herstellung der aktiven Schichten.- 5.3 Herstellung der Bauelementestruktur.- 6 Stabilität und Zuverlässigkeit von GaAs-MESFET.- 6.1 Materialeinflüsse.- 6.2 Einfluß der Metallisierung.- 6.3 Zuverlässigkeitsdaten.- 7 Ternäre und quaternäre Halbleiter für Hochfrequenz-FET.- 7.1 Einfachschicht-Strukturen.- 7.2 Mehrfachschicht-Strukturen.- 8 Ausblick: Monolithisch integrierte Schaltungen auf GaAs.- 8.1 Analoge Schaltungen.- 8.2 Digitale Schaltungen.- Al Smith-Diagramm.- A2 S-Parameter.- A3 Kenngrößen von Netzwerken.