GaAs-Feldeffekttransistoren: Halbleiter-Elektronik, cartea 16
Autor Walter Kellner, Hermann Kniepkampde Limba Germană Paperback – 12 dec 1988
Din seria Halbleiter-Elektronik
- Preț: 393.78 lei
- Preț: 482.74 lei
- Preț: 422.52 lei
- Preț: 353.02 lei
- Preț: 495.62 lei
- Preț: 422.11 lei
- Preț: 424.81 lei
- 18% Preț: 725.75 lei
- 15% Preț: 497.12 lei
- Preț: 485.24 lei
- 15% Preț: 701.59 lei
- Preț: 357.04 lei
- Preț: 425.80 lei
- 15% Preț: 696.50 lei
- 18% Preț: 739.94 lei
- Preț: 422.52 lei
- 15% Preț: 528.30 lei
- Preț: 346.48 lei
- Preț: 352.25 lei
- Preț: 485.07 lei
- Preț: 483.92 lei
- Preț: 481.97 lei
Preț: 487.37 lei
Nou
Puncte Express: 731
Preț estimativ în valută:
93.28€ • 97.02$ • 78.17£
93.28€ • 97.02$ • 78.17£
Carte tipărită la comandă
Livrare economică 13-27 martie
Preluare comenzi: 021 569.72.76
Specificații
ISBN-13: 9783540501930
ISBN-10: 3540501932
Pagini: 288
Ilustrații: 283 S.
Dimensiuni: 155 x 235 x 15 mm
Greutate: 0.41 kg
Ediția:2., überarb. und erw. Aufl.
Editura: Springer Berlin, Heidelberg
Colecția Springer
Seria Halbleiter-Elektronik
Locul publicării:Berlin, Heidelberg, Germany
ISBN-10: 3540501932
Pagini: 288
Ilustrații: 283 S.
Dimensiuni: 155 x 235 x 15 mm
Greutate: 0.41 kg
Ediția:2., überarb. und erw. Aufl.
Editura: Springer Berlin, Heidelberg
Colecția Springer
Seria Halbleiter-Elektronik
Locul publicării:Berlin, Heidelberg, Germany
Public țintă
ResearchCuprins
1 Einleitung.- 2 Grundlagen.- 2.1 Prinzip des FET.- 2.2 Ausführungsformen von FET.- 2.3 Der Metall-Halbleiter-Übergang.- 2.4 Der p+n-Übergang.- 2.5 Die MIS-Struktur.- 3 Theorie des Ladungstransports.- 3.1 Vorbemerkung.- 3.2 Kennlinien von JFET und MESFET.- 3.3 Kennlinien von MISFET.- 3.4 Einfluß der Zuleitungswiderstände.- 3.5 Numerische Lösungen der Poisson-Gleichung.- 4 GaAs-MESFET.- 4.1 Kleinsignalverhalten.- 4.2 Rauschen.- 4.3 Kleinsignal-FET: Stand 1988.- 4.4 Leistungs-FET.- 5 GaAs-Planartechnologie.- 5.1 Herstellung von semiisolierendem Gas.- 5.2 Herstellung der aktiven Schichten.- 5.3 Herstellung der Bauelementestruktur.- 6 Stabilität und Zuverlässigkeit von GaAs-MESFET.- 6.1 Materialeinflüsse.- 6.2 Einfluß der Metallisierung.- 6.3 Zuverlässigkeitsdaten.- 7 Ternäre und quaternäre Halbleiter für Hochfrequenz-FET.- 7.1 Einfachschicht-Strukturen.- 7.2 Mehrfachschicht-Strukturen.- 8 Ausblick: Monolithisch integrierte Schaltungen auf GaAs.- 8.1 Analoge Schaltungen.- 8.2 Digitale Schaltungen.- Al Smith-Diagramm.- A2 S-Parameter.- A3 Kenngrößen von Netzwerken.