MOS-Feldeffekttransistoren: Halbleiter-Elektronik, cartea 21
Autor Reinhold Paulde Limba Germană Paperback – 4 feb 1994
Din seria Halbleiter-Elektronik
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Specificații
ISBN-13: 9783540558675
ISBN-10: 3540558675
Pagini: 448
Ilustrații: X, 435 S. 3 Abb.
Dimensiuni: 155 x 235 x 27 mm
Greutate: 0.67 kg
Editura: Springer Berlin, Heidelberg
Colecția Springer
Seria Halbleiter-Elektronik
Locul publicării:Berlin, Heidelberg, Germany
ISBN-10: 3540558675
Pagini: 448
Ilustrații: X, 435 S. 3 Abb.
Dimensiuni: 155 x 235 x 27 mm
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Colecția Springer
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Public țintă
ResearchCuprins
1. Der MOS-Feldeffektransistor, das wichtigste Bauelement innerhalb der Familie der Feldeffekttransistoren.- 2. Der MOS-Transistor als Funktionselement. Grundlagen, Wirkprinzip und Kennlinienmodell.- 2.1 Der MOS-Zweipol.- 2.2 Der MOS-Transitor. Grundlegende Kennlinieneigenschaften.- 2.3 Verbesserte Modellierung.- 2.4 Der MOSFET bei abnehmenden Geometrien. Kurzkanal- und Schmalkanaleffekte. Submikrometertransistor.- 3. Der MOSFET im dynamischen Betrieb.- 3.1 Kleinsignal verhalten für tiefe Frequenzen.- 3.2 Signalverhalten im quasistationären Betrieb.- 3.3 Dynamisches Verhalten.- 3.4 MOSFET-Modelle für den Schaltungsentwurf.- 3.5 Schalt- und Impulsverhalten.- 4. Bauformen des MOSFET.- 4.1 Der MOSFET in integrierten Schaltungen.- 4.2 Speicherfeldeffekttransistoren.- 4.3 MOS-Leistungsbauelemente.- 4.4 Temperaturverhalten.