Technologie hochintegrierter Schaltungen: Halbleiter-Elektronik, cartea 19
Autor Dietrich Widmann, Hermann Mader, Hans Friedrichde Limba Germană Paperback – oct 2011
Toate formatele și edițiile | Preț | Express |
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Paperback (1) | 701.59 lei 6-8 săpt. | |
Springer Berlin, Heidelberg – oct 2011 | 701.59 lei 6-8 săpt. | |
Hardback (1) | 955.08 lei 6-8 săpt. | |
Springer Berlin, Heidelberg – 3 mai 1996 | 955.08 lei 6-8 săpt. |
Din seria Halbleiter-Elektronik
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Specificații
ISBN-13: 9783642648328
ISBN-10: 3642648320
Pagini: 392
Ilustrații: XX, 366 S.
Dimensiuni: 155 x 235 x 21 mm
Greutate: 0.55 kg
Ediția:2. Aufl. 1996. Softcover reprint of the original 2nd ed. 1996
Editura: Springer Berlin, Heidelberg
Colecția Springer
Seria Halbleiter-Elektronik
Locul publicării:Berlin, Heidelberg, Germany
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Public țintă
Professional/practitionerCuprins
1 Einleitung.- 2 Grundzüge der Technologie von Integrierten Schaltungen.- Literatur zu Kapitel 2.- 3 Schichttechnik.- 3.1 Verfahren der Schichterzeugung.- 3.2 Die monokristalline Siliziumscheibe.- 3.3 Epitaxieschichten.- 3.4 Thermische SiO2-Schichten.- 3.5 Abgeschiedene SiO2-Schichten.- 3.6 Phosphorglasschichten.- 3.7 Siliziumnitridschichten.- 3.8 Polysiliziumschichten.- 3.9 Silizidschichten.- 3.10 Refraktär-Metallschichten.- 3.11 Aluminiumschichten.- 3.12 Organische Schichten.- 3.13 Literatur zu Kapitel 3.- 4 Lithographie.- 4.1 Strukturgröße, Lagefehler und Defekte.- 4.2 Photolithographie.- 4.3 Röntgenlithographie.- 4.4 Elektronenlithographie.- 4.5 Ionenlithographie.- 4.6 Strukturerzeugung ohne Lithographie.- 4.7 Literatur zu Kapitel 4.- 5 Ätztechnik.- 5.1 Naßätzen.- 5.2 Trockenätzen.- 5.3 Trockenätzprozesse.- 5.4 Literatur zu Kapitel 5.- 6 Dotiertechnik.- 6.1 Thermische Dotierung.- 6.2 Dotierung mittels Ionenimplantation.- 6.3 Aktivierung und Diffusion von Dotieratomen.- 6.4 Diffusion von nichtdotierenden Stoffen.- 6.5 Literatur zu Kapitel 6.- 7 Reinigungstechnik.- 7.1 Verunreinigungen und ihre Auswirkungen.- 7.2 Reine Räume, Materialien und Prozesse.- 7.3 Scheibenreinigung.- 7.4 Literatur zu Kapitel 7.- 8 Prozeßintegration.- 8.1 Die verschiedenen MOS- und Bipolar-Technologien.- 8.2 Architektur der Gesamtprozesse.- 8.3 Transistoren in Integrierten Schaltungen.- 8.4 Speicherzellen.- 8.5 Mehrlagenmetallisierung.- 8.6 Detaillierte Prozeßfolge ausgewählter Gesamtprozesse.- 8.7 Literatur zu Kapitel 8.