Halbleitertechnologie: Teubner Studienskripte Technik
Autor Wolfgang Harth Contribuţii de J. Freyerde Limba Germană Paperback – 1981
Din seria Teubner Studienskripte Technik
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Specificații
ISBN-13: 9783519100546
ISBN-10: 3519100541
Pagini: 140
Ilustrații: 135 S. 38 Abb.
Greutate: 0.15 kg
Ediția:2., überarb. Aufl. 1981
Editura: Vieweg+Teubner Verlag
Colecția Vieweg+Teubner Verlag
Seria Teubner Studienskripte Technik
Locul publicării:Wiesbaden, Germany
ISBN-10: 3519100541
Pagini: 140
Ilustrații: 135 S. 38 Abb.
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Ediția:2., überarb. Aufl. 1981
Editura: Vieweg+Teubner Verlag
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Seria Teubner Studienskripte Technik
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Public țintă
Upper undergraduateCuprins
1. Technische Herstellung von Silizium und Galliumarsenid.- 1.1. Silizium.- 1.2. Galliumarsenid (GaAs).- 2. Reinigung beim Erstarren einer Schmelze.- 2.1. Phasendiagramme binärer Systeme.- 2.2. Einfache Erstarrung.- 2.3. Zonenerstarrung.- 2.4. Ausführungsformen des Zonenschmelzens.- 3. Methoden der Einkristall-Herstellung.- 3.1. Wachstum aus der Schmelze.- 3.2. Wachstum aus der Lösung.- 3.3. Wachstum aus der Gasphase.- 4. Kristallbearbeitung.- 4.1. Sägen.- 4.2. Oberflächenbehandlung.- 5. Herstellung von pn-Übergängen und Leitfähigkeitsprofilen.- 5.1. Übersicht.- 5.2. Legierungsverfahren.- 5.3. Diffusionsverfahren.- 5.4. Epitaxieverfahren.- 5.5. Ionenimplantation.- 5.6. Charakterisierung von Übergängen und Profilen.- 6. Planartechnologie.- 6.1. Übersicht.- 6.2. Herstellung von Isolatorschichten.- 6.3. Ätzung der Isolatorschichten.- 6.4. Photolack-Technik.- 6.5. Ausbeute bei integrierten Schaltungen.- 7. Kontakte, Montage und Kontaktierung.- 7.1. Ohmsche und sperrende Metall-Halbleiter — und Halbleiter-Halbleiter-Übergänge.- 7.2. Kontakte auf Silizium.- 7.3. Kontakte auf GaAs.- 7.4. Montage und Kontaktierung.- 8. Fertigungsbeispiele.- 8.1. Planartransistor.- 8.2. Feldeffekt-Transistoren (FET).- 8.3. Widerstände.- 8.4. Kondensatoren.- 9. Anhang.- 9.1. Zusammenstellung wichtiger physikalischer Daten einiger Halbleiter.- 9.2. Kristallstruktur.- 9.3. Störstellenniveaus in Si und GaAs.- 9.4. Einige Eigenschaften von pn-Übergängen.- 9.5. Lawinendurchbruch am pn-Übergang.- 9.6 Physikalische Konstanten.- Liste der wichtigsten Formelzeichen.
Notă biografică
Prof. Dr. Wolfgang Harth
Technische Universität München
Unter Mitwirkung von
J. Freyer
München
Technische Universität München
Unter Mitwirkung von
J. Freyer
München