Cantitate/Preț
Produs

Halbleitertechnologie: Teubner Studienskripte Technik

Autor Wolfgang Harth Contribuţii de J. Freyer
de Limba Germană Paperback – 1981

Din seria Teubner Studienskripte Technik

Preț: 29397 lei

Nou

Puncte Express: 441

Preț estimativ în valută:
5628 6130$ 4721£

Carte tipărită la comandă

Livrare economică 18 decembrie 24 - 01 ianuarie 25

Preluare comenzi: 021 569.72.76

Specificații

ISBN-13: 9783519100546
ISBN-10: 3519100541
Pagini: 140
Ilustrații: 135 S. 38 Abb.
Greutate: 0.15 kg
Ediția:2., überarb. Aufl. 1981
Editura: Vieweg+Teubner Verlag
Colecția Vieweg+Teubner Verlag
Seria Teubner Studienskripte Technik

Locul publicării:Wiesbaden, Germany

Public țintă

Upper undergraduate

Cuprins

1. Technische Herstellung von Silizium und Galliumarsenid.- 1.1. Silizium.- 1.2. Galliumarsenid (GaAs).- 2. Reinigung beim Erstarren einer Schmelze.- 2.1. Phasendiagramme binärer Systeme.- 2.2. Einfache Erstarrung.- 2.3. Zonenerstarrung.- 2.4. Ausführungsformen des Zonenschmelzens.- 3. Methoden der Einkristall-Herstellung.- 3.1. Wachstum aus der Schmelze.- 3.2. Wachstum aus der Lösung.- 3.3. Wachstum aus der Gasphase.- 4. Kristallbearbeitung.- 4.1. Sägen.- 4.2. Oberflächenbehandlung.- 5. Herstellung von pn-Übergängen und Leitfähigkeitsprofilen.- 5.1. Übersicht.- 5.2. Legierungsverfahren.- 5.3. Diffusionsverfahren.- 5.4. Epitaxieverfahren.- 5.5. Ionenimplantation.- 5.6. Charakterisierung von Übergängen und Profilen.- 6. Planartechnologie.- 6.1. Übersicht.- 6.2. Herstellung von Isolatorschichten.- 6.3. Ätzung der Isolatorschichten.- 6.4. Photolack-Technik.- 6.5. Ausbeute bei integrierten Schaltungen.- 7. Kontakte, Montage und Kontaktierung.- 7.1. Ohmsche und sperrende Metall-Halbleiter — und Halbleiter-Halbleiter-Übergänge.- 7.2. Kontakte auf Silizium.- 7.3. Kontakte auf GaAs.- 7.4. Montage und Kontaktierung.- 8. Fertigungsbeispiele.- 8.1. Planartransistor.- 8.2. Feldeffekt-Transistoren (FET).- 8.3. Widerstände.- 8.4. Kondensatoren.- 9. Anhang.- 9.1. Zusammenstellung wichtiger physikalischer Daten einiger Halbleiter.- 9.2. Kristallstruktur.- 9.3. Störstellenniveaus in Si und GaAs.- 9.4. Einige Eigenschaften von pn-Übergängen.- 9.5. Lawinendurchbruch am pn-Übergang.- 9.6 Physikalische Konstanten.- Liste der wichtigsten Formelzeichen.

Notă biografică

Prof. Dr. Wolfgang Harth
Technische Universität München
Unter Mitwirkung von
J. Freyer
München