SiC Materials and Devices: Semiconductors and Semimetals, cartea 52
R. K. Willardson, Eicke R. Weberen Limba Engleză Hardback – iul 1998
Din seria Semiconductors and Semimetals
- 32% Preț: 862.28 lei
- 32% Preț: 865.82 lei
- 25% Preț: 960.76 lei
- 24% Preț: 1040.46 lei
- 35% Preț: 1039.33 lei
- 24% Preț: 1044.67 lei
- 19% Preț: 1111.17 lei
- 19% Preț: 1114.72 lei
- 19% Preț: 1106.85 lei
- 28% Preț: 976.20 lei
- 28% Preț: 979.48 lei
- 28% Preț: 975.52 lei
- 28% Preț: 977.47 lei
- 28% Preț: 975.18 lei
- 39% Preț: 976.36 lei
- 23% Preț: 436.08 lei
- 23% Preț: 442.89 lei
- 27% Preț: 1394.55 lei
- 27% Preț: 1395.80 lei
- 27% Preț: 1396.72 lei
- 27% Preț: 1398.79 lei
- 27% Preț: 1404.74 lei
- 27% Preț: 1400.31 lei
- 27% Preț: 1402.67 lei
- 27% Preț: 1398.79 lei
- 27% Preț: 1395.24 lei
- 27% Preț: 1398.52 lei
- 27% Preț: 1402.67 lei
- 27% Preț: 1472.72 lei
- 27% Preț: 1475.22 lei
- 27% Preț: 1474.08 lei
- 27% Preț: 1474.08 lei
- 27% Preț: 1473.54 lei
- 27% Preț: 1420.51 lei
- 27% Preț: 1471.08 lei
- 27% Preț: 1485.80 lei
- 27% Preț: 1476.86 lei
- 9% Preț: 982.50 lei
- 32% Preț: 1042.17 lei
- 32% Preț: 1041.76 lei
- 32% Preț: 989.21 lei
- 27% Preț: 1314.15 lei
- 32% Preț: 980.08 lei
- 32% Preț: 988.25 lei
- 32% Preț: 980.52 lei
- 32% Preț: 1045.62 lei
- 32% Preț: 1043.45 lei
- 9% Preț: 1039.14 lei
- 32% Preț: 1041.13 lei
Preț: 1398.52 lei
Preț vechi: 1915.78 lei
-27% Nou
Puncte Express: 2098
Preț estimativ în valută:
267.67€ • 280.82$ • 222.05£
267.67€ • 280.82$ • 222.05£
Carte tipărită la comandă
Livrare economică 29 ianuarie-12 februarie 25
Preluare comenzi: 021 569.72.76
Specificații
ISBN-13: 9780127521602
ISBN-10: 0127521607
Pagini: 420
Dimensiuni: 152 x 229 x 24 mm
Greutate: 0.75 kg
Editura: ELSEVIER SCIENCE
Seria Semiconductors and Semimetals
ISBN-10: 0127521607
Pagini: 420
Dimensiuni: 152 x 229 x 24 mm
Greutate: 0.75 kg
Editura: ELSEVIER SCIENCE
Seria Semiconductors and Semimetals
Public țintă
AUDIENCE: Researchers, graduate students, and practitioners in materials science (electronic materials field) and electrical engineering (field of electronic devices).Cuprins
K. Jarrendahl and R.F. Davis, Materials Properties and Characterization of SiC. V.A. Dmitriev and M.G. Spencer, SiC Fabrication Technology: Growth and Doping. V. Saxena and A.J. Steckl, Silicon Carbide Materials and Devices. M. Shur, SiC Transistors. C.D. Brandt, R.C. Clarke, R.R. Siergiej, J.B. Casady, and A.W. Morse, SiC for Applications in High Power Electronics. R.J. Trew, SiC Microwave Devices. C. Carter, J. Edmond, H. Kong, G. Negley, M. Leonard, K. Doverspike, W. Weeks, A. Suvorov, and D. Waltz, SiC-Based UV Photodiodes and Light Emitting Diodes. H. Morkoc, Beyond Silicon Carbide! II-V Nitride Based Heterostructures and Devices. Subject Index.